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图片鉴赏:12个有趣的电子雕塑

现正在咱们正处正在电子消费时间。最新款的手机时辰正在颁发,当你进货最新装备札记本电脑不到非常钟,

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产品介绍

  现正在咱们正处正在电子消费时间。最新款的手机时辰正在颁发,当你进货最新装备札记本电脑不到非常钟,新款札记本电脑就下线了。不息更新的本事时辰供应更众可选的机能和性能组合。

  面临成年累月蕴蓄堆积下来的电子产物,也许你对付有些自从进货之后压根就没有利用过并不觉得惊诧。与其将它们容易丢掉,或者置换其他更没有的筑筑,也不如利用他们搭筑少少精巧的艺术雕塑作品。只须你的联思力够用。。.。。.

  钱塘芯谷此次集结落户授牌的11个半导体物业项目,总投资86亿元,包罗芯英AI芯片、至芯紫外芯片、金卡....

  CMP筑筑为CMP本事操纵的载体,为集刻板学、流体力学、资料化学、周密化工、限制软件等众领城最先辈技....

  2020年一场突发的疫情,为各行各业带来不小的障碍,正在这一配景下,中邦集成电道物业照样依旧生长态势。....

  确保您到达修建时辰永远是外外贴装临蓐的重中之重。然而,很众原始筑筑筑筑商(OEM)面对的挑拨是涉及印....

  结语 : 江湖优势吹云起,不因人的意志为蜕变。芯片行业具有不休更始,求新求变,逐鹿称霸的内灵便力。如....

  大数长青创始联合人许军体现,“EDA是集成电道物业链中一个‘卡脖子’合键,属于众学科交叉范畴,正在研发....

  TTL逻辑家族利用双极晶体管来施行逻辑性能,CMOS利用场效应晶体管。虽然CMOS比TTL更聪慧,但....

  10月15日音尘,及湖北省通讯料理局音尘,湖北已新筑开通2万个以上5G宏基站,告竣5G收集武汉市城区....

  据明了,2019年11月1日,5G商用套餐正式上线日,科技部会同生长更始委....

  从悉数物业链的生长情形来看,西安集成电道物业仍旧发端酿成了筑筑业迅疾生长,安排业与封装测试业彼此依存....

  人生充满了惊喜这句话原本一点都不假,只须你存在得够久你就会创造真的是什么形貌的人都存正在的,比如短期内....

  有源电子扫描阵列(AESA)因其特出的机能、众性能材干以及低浸的功耗和雷达散射特性使得空中作战飞机的....

  于燮康体现,2019年天下半导体物业发售收入为4121亿美元,中邦集成电道物业发售收入为7562.3....

  用来管制模仿信号的集成电道,也便是模仿电道芯片,正在汽车电子范畴和5G时间的物联网中得以平凡操纵。但全....

  常说的单音片,是一种最基础的音乐IC,由必定时辰内音符输出的众少,决策了单音片的结果,有64音符众,....

  三是深化创更生态修建,效力打制一流正在线新经济生态园,教育最有影响力的互联网企业家群体;同时,更肆意度....

  2020年5月15日,美邦颁发对华为的芯片禁令,从此,芯片惹起邦人的平凡眷注。9月15日该禁令劈头生....

  张立正在大会上夸大,中邦的生长离不开天下,天下的生长也必要中邦。集成电道物业是一个环球化的物业,任何一....

  正在周子学看来,虽然眼前环球商业体例面对诸众不确定性,外部情况繁杂性加剧,但环球半导体行业同仁仍主动行....

  吴汉明以为,芯片物业是环球化的,从资料的供应,芯片的筑筑、封装,到终末的操纵,每一个合键都不是独立的....

  从中邦IC物业的起步时辰来看,中邦与美日等先辈邦度之间的差异并不大。然而正在推动物业化流程中,中邦渐渐....

  迩来看到一本不错的电子书,现正在分享给大师。这本书全体体例地论说了集成运算放大器(集成运放)360种操纵电道的安排公式、安排步...

  10月9日上午,本市召开修筑邦度效劳业增加怒放归纳树模区和中邦(北京)自正在商业试验区启发安置大会。市....

  十一黄金周光阴,新华社揭晓了一篇名为《逆势延长5.9%的背后中合村更始地标里蕴藏的生长暗码》的专题报....

  中邦欲联手日企开荒光刻机;我邦集成电道物业生长驶入疾车道,年复合延长率超越20%...

  跟着美邦强化对中邦半导体企业的制裁与管制,使得过去中邦设定到的来日几年内芯片自给率要到达7 成的对象....

  台积电早前颁发第二季度的营收讲述。这些数字跨越了预期,与此同时,该公司还抬高了对2020年的预计。然....

  陈刚指出我邦集成电道物业的生长合键面对三个题目。一是繁杂的邦际商业情况对本本地货业生长提出了更高的....

  除了邦内的轮回外,陈刚指出,要强化市集+开荒的协作,推进邦内邦际双轮回。他夸大,中邦已滋长为环球最大....

  10月14日,正在IC CHINA 2020的揭幕式上,工信部电子音信司副司长杨旭东正在致辞中指出,....

  血本市集为企业供应众宗旨融资通道。科创板的推出,企业融资情况更加美满,中邦血本市集的高估值等特征有利....

  其它,电装还删除了用于电池电控单位(ECU)的IC和外围部件的数目。该公司还研发了深亚微米工艺本事和....

  正在日前举办的第三届半导体才智大会上,邦度专用集成电道体例工程本事钻研核心主任、东南大学集成电道学院院....

  此日,摩尔定律照旧正在支柱着5G、人工智能等新本事的生长,然而个中的合节本事遭遇了资料、器件物理机能局....

  集成电道,缩写为IC;顾名思义,某些常用的电子组件(比如电阻器,电容器,晶体管等)以及这些组件之间的....

  据报道,龙芯中科本事有限公司南方总部副总司理杨昆体现,邦际芯片发体现已面对天花板,龙芯中科要捉住这个....

  周子学体现,本年是一个卓殊的年份,半导体行业比其他行业体现要更优异,正在这个行业从业是好运的,上半年正在....

  习总书记正在坚固推动长三角一体化生长会道会上提出,要聚焦集成电道、生物医药、人工智能等中心范畴和合节环....

  中邦信科的精品回传网勾结高品德前传网,既补齐了5G收集短板,夯实了5G坚实底座,也更好地赋能百行千业....

  作家:吴丽琳 出处:中邦电子报、电子音信物业网 本年从此,浙江省电子音信行业对标紧要窗口的新对象新定....

  广东省半导体及集成电道计谋性新兴物业集群步履安插(2021-2025年)正式颁发

  克日,广东省生长更始委、广东省科技厅、广东省工业和音信化厅正式颁发《广东省教育半导体及集成电道计谋性....

  为业界首款 每秒万万亿次运算(peta OP/s AI) 芯片加快器供应生长动力

  一是人才亏空。环球从业职员只要4.5万人,然而外邦三大厂就占了60%,个中,新思科技1.3万人,Ca....

  上世纪五十年代从此,以硅(Si)资料为代外的第一代半导体资料激发了集成电道(IC)为中央的微电子范畴....

  中合村集成电道安排园迎来了一带一同丝道邦际美食哈马尔罕餐厅重磅入驻,两边举办了谨慎的签约典礼。 9月....

  繁难的合键道理,是我邦芯片向来从此的本原较量脆弱,不管是人才、原资料、合节本事依然资金方面,都与外洋....

  现方今,茂密的电子筑筑形成的热量是一种高贵的资源耗费。为了使体例依旧正在相宜的温度以取得最佳的估计机能....

  7 月 20 日,浙江嘉善县与中芯聚源缔结计谋协作订定,正在集成电道等高科技物业范畴全体展开协作,将嘉....

  硅胶点胶代加工工艺是能够操纵正在工业临蓐的各个范畴,比如连结器,电脑,数码产物,另有电子元件,集成电道....

  特性 PFC个人 –带过电流的过渡形式PFC 保卫 –过电压保卫 –反应断开 –欠压锁定 –PFC扼流圈饱和检测 –TH...

  BQ25010/BQ25011/BQ25012的DC/DC变换器集成电道

  特征 •Li-Ion或Li-Pol用度料理和单片同步DC-DC功率变换器为蓝牙供电而优化™ 耳机和配件 •通过调换适配器或具有自助...

  BQ24010/BQ24012/BQ24013/BQ24014/BQ24018单片锂离子充电料理集成电道

  特性 •小3-mm×3-mm MLP(QFN)包装 •合用于单电池的低辍学安排Li-Ion或Li-Pol空间有限公司操纵 •集凯旋率场效应...

  特性 ➤无误丈量镍镉、镍氢和锂离子电池的可用电量 ➤扶助SBSV1.0数据集和双线接口 ➤监测锂离子包保卫电道中的电荷场效应...

  特性 •V2架构供应超疾的瞬态反响、改善的调治和简化的安排 •2.0%偏差安培参考电压公差 •短道条款下开合频率低浸4:1,删除...

  I²C是一种同步,众主控,众附属串行接口,许可微芯片彼此通讯。动作漏极开道/集电极开道的通讯圭表,纵使集成电道利用区别的电...

  特性 •4通道保卫低侧驱动器 –四个带过电流保卫的NMOS FET –集成电感钳位二极管 –并行接口 •DW封装:1.5-A(...

  德州仪器(TI)的新型BQ25790和BQ25792降压-升压电池充电器集成电道管理计划供应了最大的功率密度以及通用和迅疾充电,效...

  02 NOR门诈骗先辈的硅栅极CMOS本事告竣了与LS-TTL门电道雷同的操作速率,同时依旧了圭表CMOS集成电道的低功耗。整个门带缓冲输出,具有高抗扰度,能够驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的性能和引脚分拨与圭表74LS逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:8 ns 宽电源领域:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 操纵 这个p产物是寻常用处,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  00 NAND门诈骗先辈的硅栅极CMOS本事告竣了与LS-TTL门电道雷同的操作速率,同时依旧了圭表CMOS集成电道的低功耗。整个栅极都有缓冲输出。整个器件都有高抗扰度,而且可能驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的性能和引脚分拨与圭表74LS逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:8 ns 宽电源领域:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 操纵 此产物是寻常用处,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  U04反相器诈骗先辈的硅栅极CMOS本事告竣了与LS-TTL门电道雷同的操作速率,同时依旧了圭表CMOS集成电道的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,而且可能驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的性能和引脚分拨与圭表74LS逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条款下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 操纵 本产物是寻常用处,合用于很众区别的产物操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  T164采用先辈的硅栅极CMOS本事。具有圭表CMOS集成电道的高抗噪材干和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速率。该8位移位寄存用具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B许可对涌入数据的全体限制。正在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器不才一个时钟脉冲时重置至低电平。正在一个输入的高电平使能其他输入,将决策第一个触发器的状况。串行输入的数据正在时钟为高电平或低电通常将被转换,然而仅有餍足筑立和依旧时辰条件的音信进入。正在正向电压正在时钟脉冲转换光阴,数据串行蜕变入和移出8位寄存器。清零与时钟无合,通过清零输入的低电平告竣.74HCT逻辑系列的性能和引脚分拨与圭表74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与圭表CMOS器件之间的接口。别的,这些器件也是LS-TTL器件的插件交换件,况且可用于低浸现有安排的功耗。 特 样板散布延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 操纵 此产物是寻常用处,合用于很众不...

  595高速移位寄存器采用先辈的硅栅极CMOS本事。此器件具有圭表CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特征,能够驱动15个LS-TTL负载。它包括一个8位串进并移位寄存器,能够馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存用具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都供应独立的时钟。移位寄存用具有直接掩盖清零,串行输入和串行输出(圭表)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都利用正边沿触发时钟。假如两个时钟连结正在沿道,则移位寄存器状况永远比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列正在速率,性能和引脚输出上与圭表74LS逻辑系列兼容。整个输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保卫,省得因静电放电而受损。 性格 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储性能的8位串进并出移位寄存器 宽职业电压领域2V-6V 可级联 移位寄存用具有直接清零引脚 保障移位频率:DC到30MHz 操纵 此产物是寻常用处,合用于很众区别的操纵措施。 电道图、引脚图和封装图...

  164采用先辈的硅栅极CMOS本事。具有圭表CMOS集成电道的高抗噪材干和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速率。该8位移位寄存用具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B许可对涌入数据的全体限制。正在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器不才一个时钟脉冲时重置至低电平。正在一个输入的高电平使能其他输入,将决策第一个触发器的状况。串行输入的数据正在时钟为高电平或低电通常将被转换,然而仅有餍足筑立和依旧时辰条件的音信进入。正在正向电压正在时钟脉冲转换光阴,数据串行蜕变入和移出8位寄存器。清零与时钟无合,通过清零输入的低电平告竣.74HC逻辑系列的性能和引脚分拨与圭表74LS逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板职业频率:50 MHz 样板散布延迟:19 ns(调时至Q) 宽职业电压领域:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 操纵 该产物是寻常用处,合用于很众区别的操纵...

  373高速8道D类锁存采用先辈的硅栅极CMOS本事。它们具有圭表CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特征,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动材干和3态性能,这些器件万分适合与总线构制体例中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电通常,Q输出端将要根据D输入端。当LATCH ENABLE变为低电通常,D输入端的数据将保存正在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平操纵于OUTPUT CONTROL(输出限制)输入端时,整个输出端进入高阻抗状况,不管其他输入端存正在什么信号,也不管存储元件的状况怎么.74HC逻辑系列正在容量。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:18 ns 宽职业电压领域2至6V 低输入[0]

  输出驱动材干:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是寻常用法,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  573高速八道D型锁存器采用先辈的硅栅极P井CMOS本事。它们具有圭表CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特征,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动材干和3态性能,这些器件万分适合与总线构制体例中的总线线道接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电通常,Q输出端将要根据D输入端。当LATCH ENABLE变为低电通常,D输入端的数据将保存正在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平操纵于输出限制OC输入端时,整个输出端进入高阻抗状况,不管其他输入端存正在什么74HC逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状况怎么。和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:18 ns 宽职业电压领域2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向体例 输出驱动材干:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是寻常用处,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  T74诈骗先辈的硅栅极CMOS本事告竣了与LS-TTL等效部件雷同的操作速率。它具有圭表CMOS集成电道的高抗噪材干和低功耗特征,能够驱动10个LS-TTL负载。该触发用具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电公允在时钟脉冲正向转换光阴被传输到输出。预设和清零与时钟无合,通过相宜输入端的低电平告竣.74HCT逻辑系列正在速率,性能和引脚罗列上与圭表74LS逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC...

  175高速D型触发器带互补输出,采用先辈硅栅极CMOS本事到达圭表CMOS集成电道的高抗骚扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的材干.MM74HC175 D输入音信正在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部供应原码和填充输入。整个四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR限制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完工。整个四个Q输出被清零至逻辑“0”,整个四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的性能和引脚分拨与圭表74LS逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:15 ns 宽职业电压领域:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 操纵 此产物是寻常的用法,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先辈的硅栅极P井CMOS本事。它们具有圭表CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特征,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动材干和3态性能,这些器件万分适合与总线构制体例中的总线线道接口.D输入端适应筑立和依旧时辰条件的数据正在时钟(CK)输入的正向转换光阴传输到Q输出。当高逻辑电平操纵于OUTPUT CONTROL(输出限制)输入端时,整个输出端进入高阻抗状况,不管其他输入端存正在什么信号,也不管存储元件的状况怎么。 74HC逻辑系列正在速率,性能和引脚罗列上与圭表74LS逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延:18 ns 宽职业电压领域2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向体例 输出驱动材干:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是寻常用处,合用于很众区别的操纵措施。 电道图、引脚图和封装图...

  74A诈骗先辈的硅栅极CMOS本事告竣了与LS-TTL等效部件雷同的操作速率。它具有圭表CMOS集成电道的高抗噪材干和低功耗特征,能够驱动10个LS-TTL负载。该触发用具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电公允在时钟脉冲正向转换光阴被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:20 ns 宽电源领域:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 操纵 此产物是寻常用处,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先辈的硅栅极P井CMOS本事。它们具有圭表CMOS集成电道的高抗扰度和低功耗特征,能够驱动15个LS-TTL负载。因为具有大输出驱动材干和3态性能,这些器件万分适合与总线构制体例中的总线线道接口。正在这里(CK)输入的正向转换流程中,D输入端的数据(适应筑立和依旧时辰的条件)被传输到Q输出端。当高逻辑电平操纵于OUTPUT CONTROL(输出限制)输入端时,整个输出端进入高阻抗状况,不管其他输入端存正在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保卫整个输入端,省得因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 性格 样板散布延迟:20 ns 宽职业电压领域2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向体例 输出驱动材干:15 LS-TTL负载 操纵 此产物是寻常用法,合用于很众区别的操纵。 电道图、引脚图和封装图...

  线性稳压器是单片集成电道,安排用作固定电压调治器,合用于种种操纵,包罗当地,卡上调治。这些稳压器采用内部限流,热合断和太平区域补充。通过充盈的散热,它们能够供应超越1.0 A的输出电流。固然合键安排为固定电压调治器,但这些器件能够与外部元件沿道利用,以取得可调电压和电流。 性格 输出电流超越1.0 A 无需外部元件 内部热过载保卫 内部短道电流局限 输出晶体管太平区域补充 输出电压供应1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 操纵 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电道图、引脚图和封装图...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电道,包括很众基于微管制器的体例所需的监控性能。它专为筑筑和工业操纵而安排,为安排职员供应了经济高效的管理计划,只需极少的外部组件。这些集成电道具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短道电流局限,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位较量器,带可编程迟滞的电源正告较量器,以及非专用较量器,万分适合微管制器线道同步。 其他性能包罗用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保卫的内部热合断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可抬高导热性。 性格 5.0 V稳压器输出电流超越100 mA 内部短道电流局限 固定2.6 V参考 低压复位较量器 具有可编程迟滞的电源正告较量器 未提交的较量器 低待机眼前 内部热合断保卫 加热标签电源包 无铅封装可用 电道图、引脚图和封装图...

  530双道降压DC-DC转换器是一款单片集成电道,专用于下逛电压轨的汽车驾驶员音信体例。两个通道均可正在0.9 V至3.3 V领域内实行外部调治,并可供应高达1600 mA的电流。转换器的职业频率为2.1 MHz,高于敏锐的AM频段,而且相位差180°,以删除轨道上的豪爽电流需求。同步整流抬高了体例成果。 NCV896530供应汽车电源体例的其他性能,如集成软启动,逐周期电流局限和热合断保卫。该器件还能够与2.1 MHz领域内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节俭空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 性格 上风 同步整改 成果更高 2.1 MHz开合频率 电感更小,没有AM频段发射 热局限和短道保卫 妨碍保卫 2输出为180°异相 低浸输入纹波 内部MOSFET 低浸本钱和管理计划周围 操纵 音频 资讯文娱t 仪器 电道图、引脚图和封装图...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高成果 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电道,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式操纵供应新型众媒体安排的中央和I / O电压。两个通道均可正在0.9V至3.3V之间实行外部调治,每个通道可供应高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开合频率运转,通过许可利用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相职业来减小元件尺寸,从而删除电池的豪爽电流需求。自愿切换PWM / PFM形式和同步整流可抬高体例成果。该器件还能够职业正在固定频率PWM形式,合用于必要低纹波和优越负载瞬变的低噪声操纵。其他性能包罗集成软启动,逐周期电流局限和热合断保卫。该器件还能够与2.25 MHz领域内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节俭空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 性格 上风 97%成果,50uA静态电流,0.3 uA合断电流 延伸电池寿命和播放时辰 2.25MHz开合频率 许可利用更小的电感和电容 形式引脚操作:仅正在轻载或PWM形式下自愿切换PWM / PFM形式 许可用户正在轻载或低噪声和纹波机能之间挑选低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电道,针对便携式操纵实行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可供应高达600 mA的电流。它利用同步整流来抬高成果并删除外部部件数目。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过许可更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自愿切换PWM / PFM形式可抬高体例成果。其他性能包罗集成软启动,逐周期电流局限和热合断保卫。 NCP1522B采用节俭空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 性格 上风 94%成果,50 uA静态电流,0.3 uA合断电流 延伸电池寿命和播放时辰 3.0 MHz开合频率 许可利用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条款下PWM和PFM形式之间的自愿切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 操纵 终端产物 电源f或操纵途理器 中央电压低的管制器电源 智高手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频体例 数码相机和摄像机 电道图、引脚图和封装图...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高成果 可调治输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电道,合用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式操纵。该器件可正在外部可调领域为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出领域内供应高达1.0 A的电流。它利用同步整流来抬高成果并删除外部元件数目。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过许可利用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自愿切换PWM / PFM形式可抬高体例成果。 其他性能包罗集成软启动,逐周期电流局限和热合断保卫。 NCP1529采用节俭空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 性格 上风 96%成果,28 uA静态电流,0.3 uA合断电流 延伸电池续航时辰和播放时辰 1.7 MHz开合频率 许可利用更小的电感和电容器 正在轻负载条款下自愿切换PWM和PFM形式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 纵使正在PFM形式下,同类最佳低纹波 操纵 终端产物 电池供电操纵电源料理 中央电压低的管制器电源 USB供电筑筑 低压直流电源电源料理 手机,智高手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频体例 电道图、引脚图和封装图...

  系列降压开合稳压器是单片集成电道,万分适合容易轻易地安排降压型开合稳压器(降压转换器)。该系列的整个电道均可能以极佳的线 A负载。这些器件供应3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出书本。 此降压开合稳压器旨正在最大控制地删除外部元件的数目,从而简化电源安排。圭表系列电感器针对LM2575实行了优化,由众家区别的电感器筑筑商供应。 因为LM2575转换器是一种开合电源,与守旧的三端线性稳压器比拟,其成果要高得众,极端是正在输入电压较高的情形下。正在很众情形下,LM2575稳压器耗费的功率万分低,不必要散热器,也不会大幅低浸其尺寸。 LM2575的性格包罗正在指定的输入电压和输出负载条款下保障4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包罗外部合断,具有80 uA样板待机电流。输出开合包罗逐周期电流局限,以及正在妨碍条款下实行全保卫的热合断。 性格 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出书本 可调版本输出电压领域为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压领域:4.75 V至40 V 仅必要4个外部元件 ...